▍盛驰变频电源的主要器件构成解析（一）▍之电源模块IGBT
▍盛驰变频电源的主要器件构成解析（一）▍之电源模块IGBT
盛驰变频电源的主要元气件之一的IGBT电源模块，是英文Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写，全称为绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
电源模块IGBT以其输入阻抗高、开关速度快、通态电压低、阻断电压高、承受电流大等特点，已成为当今功率半导体器件发展的主流器件。自二十世纪八十年代初期研制成功以来，其工艺技术和参数不断改进和提高，IGBT电源模块已由第三代、第四代发展到了第五代，由穿通型（PT型）发展到非穿通型（NPT型），其电性能参数日趋完善。
IGBT电源模块也在此基础上同步发展，有单管模块、半桥模块、高端模块、低端模块、6单元模块等。合理的驱动保护是IGBT电源模块安全工作的前提条件，特别是选择合理的栅极驱动电压Uge和合理的栅极串联电阻Rg，以及过电压过电流保护尤为重要。
IGBT电源模块的应用电路有半桥电路逆变、全桥电路逆变、三相逆变、斩波应用等。选择IGBT电源模块时要确定纹波参数及主电路拓扑结构，额定工作电流、过载系数、散热条件决定了IGBT电源模块的额定电流、额定工作电压、电压波动，最大工作电压决定了IGBT电源模块的额定电压参数。
IGBT电源模块现已被广泛应用于直流电压为600V及以上的变流系统如：变频电源、UPS电源、中频电源、交流电机、变频器、逆变电源和直流电源、照明电路、牵引传动等领域。
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